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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > R6031225HSYA
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R6031225HSYA

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
30+
$81.231
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    R6031225HSYA
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    2V @ 800A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    1200V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    DO-205AB, DO-9
  • Velocidade
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    1µs
  • Embalagem
    Bulk
  • Caixa / Gabinete
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura de Operação - Junção
    -45°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Chassis, Stud Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    12 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 1200V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    50mA @ 1200V
  • Atual - rectificada média (Io)
    250A
  • Capacitância @ Vr, F
    -
R60400-1CR

R60400-1CR

Descrição: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Disponível
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
R6030KNX

R6030KNX

Descrição: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
R6031035ESYA

R6031035ESYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
R60400-1STRM

R60400-1STRM

Descrição: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Disponível
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Descrição: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Descrição: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
R6030MNX

R6030MNX

Descrição: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Descrição: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
R60400-1STR

R60400-1STR

Descrição: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Disponível
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Descrição: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Descrição: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Fabricantes: Powerex, Inc.
Disponível

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