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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > RFN3BM6SFHTL
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1899659Imagem RFN3BM6SFHTL.LAPIS Semiconductor

RFN3BM6SFHTL

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
2500+
$0.356
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RFN3BM6SFHTL
  • Fabricante / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    1.RFN3BM6SFHTL.pdf
    2.RFN3BM6SFHTL.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.55V @ 3A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    600V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-252
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    30ns
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Outros nomes
    RFN3BM6SFHTLTR
  • Temperatura de Operação - Junção
    150°C (Max)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 600V 3A Surface Mount TO-252
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    10µA @ 600V
  • Atual - rectificada média (Io)
    3A
  • Capacitância @ Vr, F
    -

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Envio
Pagamento
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RFN3BM2STL

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Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN2LAM4STR

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Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1.5A PMDTM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN3B2STL

RFN3B2STL

Descrição: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN3B6STL

RFN3B6STL

Descrição: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN5BM2STL

RFN5BM2STL

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN5BM6SFHTL

RFN5BM6SFHTL

Descrição: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN5BM3STL

RFN5BM3STL

Descrição: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN5BGE3STL

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Descrição: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN30TS6SGC11

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN2L6STE25

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN5B6STL

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN30TS6DGC11

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Descrição: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN2LAM6STR

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN5BM2SFHTL

RFN5BM2SFHTL

Descrição: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN3BM2SFHTL

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Descrição: DIODE GEN PURP 200V 3A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN5B3STL

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Descrição: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN3BGE6STL

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Descrição: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN5BM3SFHTL

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Descrição: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN3BM6STL

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RFN5B2STL

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Descrição: DIODE GEN PURPOSE CPD

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
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