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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > UMG11NTR

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1951333

Imagem UMG11NTR.

LAPIS Semiconductor

UMG11NTR

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1000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

UMG11NTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.UMG11NTR.pdf
2.UMG11NTR.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

UMT5
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

47 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Outros nomes

UMG11NDKR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

*MG11

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Forma de pagamento

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