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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > UMG4N-7

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Imagem UMG4N-7.

Diodes Incorporated

UMG4N-7

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

UMG4N-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

UMG4N-7.pdf
Modelo ECAD
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-353
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

-
Resistor - Base (R1)

10 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-353
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

-
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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