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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > UMG3NTR

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4794411

Imagem UMG3NTR.

LAPIS Semiconductor

UMG3NTR

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

UMG3NTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.UMG3NTR.pdf
2.UMG3NTR.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

UMT5
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

-
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

150mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

-
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

*MG3

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Envio

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