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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > APT66M60B2

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Imagem APT66M60B2.

Microsemi

APT66M60B2

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Disponível

30+

$20.051

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

APT66M60B2
Fabricante / Marca

Microsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.APT66M60B2.pdf
2.APT66M60B2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

T-MAX™ [B2]
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

100 mOhm @ 33A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1135W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3 Variant
Outros nomes

APT66M60B2MI
APT66M60B2MI-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

23 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

13190pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

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