Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

Para visitantes da Electronica 2024
Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - IGBTs - módulos > APT70GR120JD60
RFQs/Ordem (0)
Português
Português
5306063Imagem APT70GR120JD60.Microsemi

APT70GR120JD60

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$38.94
10+
$36.021
30+
$33.10
100+
$30.764
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    APT70GR120JD60
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    IGBT 1200V 112A 543W SOT227
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, Ic
    3.2V @ 15V, 70A
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SOT-227
  • Série
    -
  • Power - Max
    543W
  • Caixa / Gabinete
    SOT-227-4
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC Thermistor
    No
  • Tipo de montagem
    Chassis Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    26 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de entrada (Cies) @ Vce
    7.26nF @ 25V
  • Entrada
    Standard
  • Tipo de IGBT
    NPT
  • Descrição detalhada
    IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    1.1mA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    112A
  • Configuração
    Single
APT70SM70S

APT70SM70S

Descrição: POWER MOSFET - SIC

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT66F60L

APT66F60L

Descrição: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Descrição: MOD DIODE 600V SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Descrição: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Descrição: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Descrição: MOD DIODE 1200V SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR120L

APT70GR120L

Descrição: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70SM70B

APT70SM70B

Descrição: POWER MOSFET - SIC

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT66F60B2

APT66F60B2

Descrição: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Descrição: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Descrição: MOD DIODE 1700V SOT-227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT68GA60B

APT68GA60B

Descrição: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR120J

APT70GR120J

Descrição: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70SM70J

APT70SM70J

Descrição: POWER MOSFET - SIC

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR65B

APT70GR65B

Descrição: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Descrição: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT6M100K

APT6M100K

Descrição: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT66M60B2

APT66M60B2

Descrição: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Fabricantes: Microsemi
Disponível
APT66M60L

APT66M60L

Descrição: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Fabricantes: Microsemi
Disponível

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair