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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DRA2144E0L
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DRA2144E0L

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500+
$0.111
1000+
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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    DRA2144E0L
  • Fabricante / Marca
    Panasonic
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    DRA2144E0L.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Mini3-G3-B
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    47 kOhms
  • Power - Max
    200mW
  • Embalagem
    Original-Reel®
  • Caixa / Gabinete
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Outros nomes
    DRA2144E0LDKR
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    11 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Número da peça base
    DRA2144

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