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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNR92AVG0L
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4788978Imagem UNR92AVG0L.Panasonic

UNR92AVG0L

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    UNR92AVG0L
  • Fabricante / Marca
    Panasonic
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    UNR92AVG0L.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 1.5mA, 10mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SSMini3-F3
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Power - Max
    125mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    SC-89, SOT-490
  • Outros nomes
    UNR92AVG0LTR
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequência - Transição
    150MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 150MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    6 @ 5mA, 10V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    80mA

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