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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > UNRL11100A
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637360Imagem UNRL11100A.Panasonic

UNRL11100A

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    UNRL11100A
  • Fabricante / Marca
    Panasonic
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS PNP 150MW ML4-N1
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    UNRL11100A.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    ML4-N1
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    150mW
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    SC-103
  • Outros nomes
    UNRL11100ACT
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequência - Transição
    80MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount ML4-N1
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    100mA

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Fabricantes: Panasonic
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