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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN1019USN-13

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6384719

Imagem DMN1019USN-13.

Diodes Incorporated

DMN1019USN-13

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Disponível

10000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN1019USN-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN1019USN-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-59
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

680mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

DMN1019USN-13DITR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2426pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

50.6nC @ 8V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.2V, 2.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

12V
Descrição detalhada

N-Channel 12V 9.3A (Ta) 680mW (Ta) Surface Mount SC-59
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.3A (Ta)

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