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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > DMN1029UFDB-7

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Imagem DMN1029UFDB-7.

Diodes Incorporated

DMN1029UFDB-7

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500+

$0.207

1000+

$0.155

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN1029UFDB-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN1029UFDB-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

U-DFN2020-6 (Type B)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

29 mOhm @ 5A, 4.5V
Power - Max

1.4W
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes

DMN1029UFDB-7DICT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

914pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

19.6nC @ 8V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

12V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5.6A

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