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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN1045UFR4-7

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4807843

Imagem DMN1045UFR4-7.

Diodes Incorporated

DMN1045UFR4-7

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Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN1045UFR4-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN1045UFR4-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

X2-DFN1010-3
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

45 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

500mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

3-XFDFN
Outros nomes

DMN1045UFR4-7DITR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

375pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

12V
Descrição detalhada

N-Channel 12V 3.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1010-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3.2A (Ta)

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